常见工艺：热风整平（HASL）、有机可焊性保护剂（OSP）、化学镀镍/浸金（ENIG）、浸银（Immersion Silver）、沉锡（Immersion Tin）、电镀硬金（Electrolytic Hard Gold）和化学镍钯金（ENEPIG）。
1. 大梁角度（轨道倾斜角）：
○ 调整范围：3°-7°（推荐5.5°），过平易挂锡，过陡则焊料回流不足。
○ 影响：角度影响焊料流动与滴落速度，角度过小易导致焊料堆积形成短路。
○ 操作：通过机械调节导轨，确保PCB板与锡波接触时呈微倾斜，利于焊料回流。
2. 波峰高度：
○ 调整标准：波峰高度应略低于PCB板底面（约0.5-1mm），避免焊料溢出至元件面。
○ 问题：波峰过高易导致焊料漫过焊盘，波峰过低则焊点不足。
○ 操作：通过调节波峰发生器高度或泵速控制，使用高温玻璃板检测波峰平整度。
3. 锡面流向与波峰挡板：
○ 优化流向：确保锡波流动平稳，无漩涡或湍流（可能导致焊料飞溅）。
○ 挡板位置：调整波峰出口挡板，控制锡波宽度与流速，波峰焊的喷口挡板就像交通警察,负责控制锡波的流动方向和高度（流向不对会造成短路、线路板脏污）。
○ 清理堵塞：定期清理波峰喷口或挡板上的锡渣，避免流动受阻。
二、设备设置参数（软件与控制系统）
1. 温度参数：
○ 锡炉温度：无铅工艺推荐265±5℃（实测波峰温度），避免过高导致氧化或过低焊料流动性差。
○ 预热温度：确保助焊剂活化且PCB无变形。
○ 温度曲线：使用KIC等工具监测PCB实际温度曲线，确保升温梯度合理。
2. 速度与时间：
○ 传送速度：根据板厚与元件密度调整，高密度板需降低速度。
○ 焊接时间：确保PCB在波峰中停留2-3秒，时间过短焊点不饱满，过长易短路。
3. 助焊剂系统：
○ 喷雾压力：调整至均匀覆盖PCB，避免过量（导致桥连）或不足（虚焊）。
○ 喷雾高度：垂直喷洒（用传真纸测试均匀性）。
三、工艺参数优化（流程控制）
1. 波峰形状与类型：
○ 双波峰设置：扰流波（第一波）其波形具有不规则性，通过高压使锡面以湍流状喷至焊点区域，平滑波（第二波）修整焊点，减少连锡。
○ 波峰平整度：用高温玻璃板检查波峰是否平整，无凹陷或凸起。
2. 氮气保护（可选）：
○ 在密闭环境中使用氮气保护，减少氧化，提升焊料润湿性，降低短路风险。
四、设计缺陷改进（PCB与元件布局）
1. 焊盘间距与阻焊设计：
○ 间距要求：关键区域（如IC引脚）焊盘间距≥0.6mm，不足时需增加阻焊坝（宽度≥0.2mm）。
○ 盗锡焊盘：在密脚元件末端添加“盗锡焊盘”，引导多余焊料流向安全区域。
○ 元件方向：IC引脚方向与波峰行进方向垂直（而非平行），避免引脚间连锡。
2. PCB变形控制：
○ V-Cut设计：拼板V槽深度≤板厚的1/3，过深变形易导致热变形溢锡。
○ 辅助治具：大尺寸PCB使用工装治具支撑，防止热变形。
五、材料问题排查与优化
1. 焊锡质量：
○ 纯度要求：符合国标GBT 3131-2020、JIS-Z-3282焊锡标准。
○ 锡渣管理：每日清理锡炉，防止氧化渣影响焊料流动性。
2. 助焊剂选择：
○ 活性匹配：选用中活性（RA级）免清洗助焊剂，避免活性不足或残留导致短路。
○ 稳定性：定期检测助焊剂比重，避免老化失效。
3. PCB材质：
○ 表面处理：优选ENIG（沉金）或OSP（抗氧化膜），避免HASL（喷锡）表面氧化风险。
○ 孔径控制：通孔直径与元件引脚匹配，避免过大导致焊料溢出现象。
六、操作问题与维护规范
1. 过板操作：
○ 方向确认：每次生产前验证PCB过炉方向是否正确（引脚垂直波峰方向）。
○ 进板平整：确保PCB无翘曲，传送爪无磨损，避免板面起伏导致焊料不均。
2. 设备维护：
○ 日清锡渣：每班次清理锡炉与波峰喷口，检查助焊剂喷头堵塞。
○ 参数校准：定期测温仪校准（如实际波峰温度与设备显示差异）。
3. 培训与记录：
○ 操作人员需接受波峰焊工艺培训，记录每日参数（温度、速度、助焊剂用量）及缺陷分析，形成闭环改进。
七、快速排查流程（现场实用）
1. 10分钟快速排查：
○ 确认过板方向垂直→检查助焊剂喷雾均匀→实测波峰温度→验证焊盘间距≥0.6mm→清理锡渣。（及其他关联数据）
2. 数据化工具：
○ 使用SPC（统计过程控制）监控关键参数，通过DOE（实验设计）优化工艺窗口。
总结：
通过系统性调整硬件、参数、设计、材料，结合标准化操作与维护，可将波峰焊短路率降至1%以下，显著提升焊接质量与效率。
关键行动建议：
● 立即检查：过板方向、波峰高度、焊盘间距、锡渣量。
● 每日维护：清理锡渣，验证温度与喷雾均匀性。
● 长期改进：优化PCB设计，升级高纯度焊料与助焊剂。
希望此方案能帮助您系统性解决波峰焊短路问题！
文字 | 江苏崒华电子材料技术团队
图片 | 专业工业摄影
编辑 | 江苏萃华电子技术工艺部
发布日期 | 2026年
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